Выпуски журналаIssues of the journal
К списку номеров Back to the list К оглавлению Back to Contents номер страницы: 49page number: 49ОБЛУЧЕНИЕ ГАММА-КВАНТАМИ 60CО СВЕТОДИОДОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaInP С МНОЖЕСТВЕННЫМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ (А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. Асанов)
Исследовано изменение параметров светодиодов (СД), изготовленных из различных гетероструктур AlGaInP ( l1 = 590 нм и l2 = 630 нм), с множественными квантовыми ямами, при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. По виду вольт-амперной (ВАХ) и ватт-амперной характеристик (ВтАХ) исходных диодов выделены области средней и высокой инжекции электронов. Наклон закономерности изменения мощности излучения и рабочего тока в области средней инжекции практически не зависят от ширины запрещенной зоны, в то время как в области высокой инжекции электронов наклон ВАХ и ВтАХ увеличивается с уменьшением ширины запрещенной зоны. С ростом экспозиционной дозы мощность излучения уменьшается прямо пропорционально дозе и обратно пропорционально величине рабочего тока, при котором проводится измерение мощности, а также увеличиваются различия между областями средней и высокой инжекции электронов. Представлена радиационная модель СД, согласно которой деградация мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в два этапа: на первом этапе происходит введение центров безизлучательной рекомбинации (или центров поглощения излучения), а на втором этапе происходит снижение мощности излучения.
Ключевые слова: светодиоды, квантовые ямы, инжекция электронов, ширина запрещенной зоны.
Градобоев Александр Васильевич — Юргинский технологический институт Национального исследовательского Томского политехнического университета, доктор технических наук, профессор, начальник лаборатории специспытаний ОАО “НИИПП” (г. Томск). Специалист в области физики конденсированного состояния, радиационной физики, исследований и испытаний полупроводников и полупроводниковых приборов. Е-mail: gradoboev1@mail.ru.
Орлова Ксения Николаевна — Юргинский технологический институт Национального исследовательского Томского политехнического университета, аспирант, ассистент кафедры. Специалист в области радиационной физики, исследований и испытаний полупроводников и полупроводниковых приборов.
Асанов Иван Александрович — ОАО “НИИПП” (г. Томск), старший научный сотрудник. Специалист в области исследований и испытаний полупроводников и полупроводниковых приборов.
№7 - 2013