Выпуски журналаIssues of the journal

 
К списку номеров Back to the list
К оглавлению Back to Contents
номер страницы: 43page number: 43

ВЛИЯНИЕ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ СРЕДНИХ ЭНЕРГИЙ НА ФОРМИРОВАНИЕ ДОНОРНЫХ ЦЕНТРОВ ПРИ ОТЖИГЕ КРЕМНИЯ В ИНТЕРВАЛЕ ТЕМПЕРАТУР 300-600°С

Резюме: Resume:
Исследовано введение электрически активных центров в кремнии имплантированном ионами Н2+, Н+, О+ и Не+ и отожженном в интервале температур 300-600°С. Получено, что после имплантации водорода и кислорода в кремнии, выращенном методом Чохральского, наблюдается эффективное образование донорных центров в интервале температур 350-550°С практически по всей толщине кристаллов. В кремнии (Fz-Si), полученном методом зонной плавки и имплантированном любым из исследованных ионов, а также при облучении кремня, выращенного методом Чохральского, ионами Не+ данные донорные центры не формируются. Полученные результаты дают основание связать наблюдаемые доноры с термодонорами, скорость введения которых значительно выше скорости формирования термодоноров в исходном материале. В работе обсуждаются возможные причины ускоренного введения доноров. №1-2001 г.

Авторы: Authors:
И.В.Антонова, Е.П.Неустроев, В.П.Попов, В.Ф.Стась