Выпуски журналаIssues of the journal
К списку номеров Back to the list К оглавлению Back to Contents номер страницы: 35page number: 35ВЛИЯНИЕ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА СВОЙСТВА ЯДЕРНО-ЛЕГИРОВАННОГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
Резюме:
Resume:
Исследовано влияние облучения при комнатной температуре (T=291 К) быстрыми электронами на изменение при низких температурах электрических параметров ядерно-легированного арсенида галлия (ЯЛАГ). Показано, что немонотонное уменьшение с ростом дозы электронов подвижности носителей заряда, измеренной при низких температурах (T=100 К), обусловлено изменением зарядового состояния некоторого доминирующего дефекта при изменении положения уровня Ферми в запрещенной зоне в зависимости от дозы облучения. Определено положение энергетического уровня данного дефекта в запрещенной зоне, его тип и температура отжига. №1 – 2000 г.
Авторы:
Authors:
Ф.П.Коршунов, Н.Ф.Курилович, Т.А.Прохоренко