Выпуски журналаIssues of the journal
К списку номеров Back to the list К оглавлению Back to Contents номер страницы: 33page number: 33ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССА РОСТА И СВОЙСТВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GaSb, ЛЕГИРОВАННЫХ Р.З.М. ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ ИЗ ОЛОВОСОДЕРЖАЩИХ РАСПЛАВОВ
Резюме:
Resume:
Представлены результаты исследования особенностей роста и свойств эпитаксиальных слоев GaSb, легированных Gd и Ho в процессе жидкофазной эпитаксии из оловосодержащих растворов-расплавов. Обсуждается механизм совместного влияния примесей р.з.м. и выбора нетрадиционного для эпитаксии соединений AIIIBV растворителя на формирование свойств GaSb. Возможность управления электрическими, оптическими и структурными свойствами эпитаксиальных слоев GaSb создает обширное поле для воздействия на параметры эпитаксиальных гетероструктур на основе GaSb, находящих широкое применение в оптоэлектронике и ИК-технике. №4 – 1997 г.
Авторы:
Authors:
В.В.Арбенина, О.Э.Даричева