О ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИИ В КРИСТАЛЛАХ КВАРЦА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРОНОВ С РАЗНЫМИ ПОДПОРОГОВЫМИ ЭНЕРГИЯМИ И ПЛОТНОСТЯМИ ТОКА ПУЧКА

Исследовано влияние плотности тока пучка (j = 30 – 80 мкА/см2) и энергии электронов (Е = 50 – 120 кэВ) на процессы, приводящие к созданию точечных дефектов и структурным превращениям в номинально чистых кристаллах кварца. Показано, что при j < 60 мкА/см2, в основном, создаются -центры, а при значениях j ³ 60 мкА/см2 образуются и зародыши аморфной фазы SiO2, нанокристаллы кремния, концентрация которых увеличивается с повышением плотности тока пучка. Сделано предположение, что существует критическое значение концентрации вакансий кислорода, необходимое для образования зародышей аморфной фазы и нанокристаллов кремния, которое уменьшается с увеличением степени дефектности структуры кристалла.

№ 4 – 2007 г.